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在传统存储产品方面，10nm以下DRAM制造工艺正成为主流，并逐步向7nm工艺突破，通过“FinFET架构+TSV技术”提升密度、降低功耗。3D NAND堆叠层数突破400层后，“垂直堆叠”难度加剧，厂商转向“水平扩展+架构优化”，比如三星V-NAND的阶梯式架构、Kioxia的BiCS架构，同时引入“HKC（高K介质+金属栅）”技术，解决高层数堆叠的漏电、散热问题，制造工艺从“层数竞赛”转向“架构+工艺”双重竞争。，更多细节参见im钱包官方下载
2月27日，Rapidus公司宣布，已完成总额2676亿日元（约合17亿美元）的融资，资金来自日本政府及私营企业，其中日本经济产业省下属独立行政机构注资1000亿日元，该战略融资计划将助力Rapidus公司稳步推进研发进程，于2027年前实现2纳米逻辑半导体的量产目标。Rapidus同时宣布获得来自32家企业的私募融资，总额达1676亿日元，投资方包括佳能、日本政策投资银行、富士通、NTT、软银集团及索尼集团等。（界面）